彭应全的个人简介
彭应全，中国计量大学光学与电子科技学院教授,博士生导师。
个人简介
彭应全，教授,博士生导师，1985年6月毕业于兰州大学物理系半导体物理专业。
1985年8月通过教育部组织的全国丁肇中项目出国研究生考试，于次年去德国柏林洪堡大学攻读实验物理博士学位，同时选修电子学课程。
1992年3月获电子学工程师学位（Dipl.Ing.）。
1992年7月获得理学博士学位。在德国期间，一直从事由丁肇中教授主持的L3实验，为L3实验研制大型粒子探测器，曾以访问学者的身份在欧洲核子研究中心（CERN）进行了为期一年的合作研究工作。
1992年9月回国后，在兰州大学物理系工作，起初从事计算机自动测量与控制方面的应用研究，获核心技术发明专利---《计算机自动测量实验仪和实验方法》。
1999年以来主要从事微电子学与固体电子学（方向：有机电子器件与材料）研究工作，主持国家自然科学基金一项，省自然科学基金两项，横向项目多项，获发明专利五项，著有学术论文50余篇，其中大部分被SCI和EI收录。
甘肃省领军人才，2010年以访问学者的身份在德国Kassel大学进行为期一年的有机激光器合作研发，承担的与斯洛伐克的合作项目《红外光敏有机场效应管》为中俄双方审定的13项政府间科技合作项目之一。
2014年聘为浙江省“钱江学者”特聘教授。
研究方向
一有机半导体电子器件物理特性研究
二OLED分析软件开发
三有机太阳能电池、光电探测器研究
四功能有机场效应管研究
五有机半导体材料研究
六基于PC的自动测量与控制设备开发
七有机激光器的研究
研究工作
已经完成的项目或课题：
(1)8-羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性研究
(2)基于酞菁铜的有机电流开关器件研制
(3)有机电致发光器件复合区与发光效率研究
(4)单层结构有机太阳能电池模型研究
(5)体异质结有机太阳能电池模型研究
(6)双层有机半导体薄膜器件中有机异质界面限制电流传导研究
(7)有机异质界面电流传输限制电流传导研究
(8)有机半导体材料Alq3、LiBq4、Cdq2、Znq2、Ndq2和Euq2的合成与提纯；
(9)无机/有机异质界面Alq3uITO、TPDuAlq3、PTCDAuSi、结构与电子状态研究；
(10)有机电致发光器件的薄层掺杂研究；
(11)单层有机电致发光器件电流传输特性的数值分析；
(12)聚合物PVK与透明导电膜ITO界面结构与电子状态研究；
(13)双层有机电致发光器件结构的计算机模拟与优化设计；
(14)有机电致发光器件中空间电荷的分布与载流子输运研究；
(15)稀土有机半导体材料八羟基喹啉铕和八羟基喹啉钕的合成与提纯；
(16)金属u有机界面热电子发射机制研究；
(17)空穴注入层优化研究；
(18)纯净、物理掺杂和化学掺杂的有机半导体薄膜中的爱因斯坦关系的研究；
(19)有机半导体薄膜器件注入限制传导与体限制传导的判据研究；
(20)基于八羟基喹啉配合物的开关器件研究。
正在进行和拟进行的项目或课题：
（1）层叠结构有机场效应管研制
（2）基于Ndq3的有机太阳能电池与光电探测器研究
（3）有机光敏场效应管研究
（4）有机磁敏场效应管研究
（5）OLED数值分析与模拟软件开发
（6）有机太阳能电池数值分析与结构优化研究
（7）有机光电探测器数值分析与结构优化研究
（8）特殊功能有机半导体材料合成
（9）温室自动侍服系统研制
（10）有机双稳态器件研制
（11）基于PC的自动测量与控制设备开发
（12）有机激光器的研究
发表论文
来发表主要论文：
2008
(1)YangQingsen,PengYingquan(通讯作者）,XingHongwei,LiXunshuan,YuanJianting,MaChaozhu,ZhaoMing,Temperaturecharacteristicsofbilayerthin-filmdevicesunderorganicinterfacelimitedcurrentconduction,半导体学报,29(6),1062(2008)
(2)李训栓，彭应全（通讯作者），宋长安，杨青森，刑宏伟，赵明，袁建挺，酞菁铜薄膜器件的电流开关效应的研究，真空科学与技术学报，28(5),394(2008)
(3)Ying-quanPeng,Qing-senYang,Hong-weiXin,Xun-shuanLi,Jian-TingYuan,Chao-ZhuMa,Run-ShengWang,Recombinationzoneandefficiencyinbipolarsinglelayerlight-emittingdevices：Anumericalstudy,AppliedPhysicsA,93(2),559-564(2008)
(4)邢宏伟，彭应全（通讯作者），杨青森，马朝柱,有机体异质结太阳能电池的数值分析,物理学报,57(11),7374-7379(2008)
(5)李训栓，宋长安，彭应全（通讯作者），杨青森，赵明，采用低温辐射加热源的有机半导体薄膜真空蒸发设备的研制,真空,43(2),43(2008)
(6)GuoZijie,XingHongwei,WangYuhang,MaYuejie,Liudequan,MaChaozhu,PengYingquan（通讯作者）,andLiJunwang,Effectofcarriermobility,energygapandexcitonsizeontheperformanceofsinglelayerorganicsolarcells,OptoelectronicsLetters,4(6),410-414(2008)
(7)袁建挺，彭应全（通讯作者），杨青森，邢宏伟，迁移率对单层有机发光器件中电场与载流子浓度分布影响的研究,发光学报2008年12月
(8)YuanJian-ting,PengYing-quan（通讯作者）,YangQing-sen,XingHong-wei,LiXun-shuan,Effectofmobilityonthedistributionofelectricfieldandcarrierdensityinsinglelayerorganiclightemittingdevices,ACTAPHOTONICASINICA,(accepted)
2007
(1)Ying-QuanPeng,Jian-HongYang,Fei-PingLu,Qin-SengYang,Hong-WeiXin,Xun-ShuanLi,Chang-AnSong,Einsteinrelationinchemicallydopedorganicsemiconductors,Appl.Phys.A,86,225-229(2007)
(2)路飞平，彭应全（通讯作者），宋长安，邢宏伟，李训栓，杨青森，八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性研究，半导体学报，28(7),130-135(2007)
(3)李训栓，彭应全（通讯作者），杨青森，刑宏伟，路飞平，有机半导体异质界面电荷传输解析模型研究,物理学报，56(9),435-438(2007)
2006
(1)Ying-QuanPeng,Jian-HongYang,Chang-AnSong,GeneralizationofEinsteinrelationfordopedorganicsemiconductors，Appl.Phys.A，83(2),305-311(2006)
(2)Ying-QuanPeng,Fei-PingLu,Injectionofholesatindiumtinoxide/dendrimerinterface:anexplanationwithnewtheoryofthermionicemissionatmetal/organicinterfaces,Appl.Surf.Sci.,252,6275-6279(2006)
(3)路飞平，彭应全（通讯作者），邢宏伟,非欧姆注入单层有机发光器件低场下电流传导温度特性的数值研究,发光学报,27(5),705-710(2006)
2005
(1)Ying-QuanPeng,Jian-HongYang,ShuoSun,Numericalstudyontheoptimizationofholeinjectionlayersinorganiclight-emittingdevices,Semicond.Sci.Techn.20,221-227(2005)
(2)Ying-QuanPeng,Jian-HongYang,emittingdevices,Appl.Phys.A:MaterialsScience&Processing,80(7),1511-1516(2005)
(3)Ying-QuanPeng,ShuoSun,Chang-AnSong,GeneralizationofEinsteinrelationfororganicsemiconductorthinfilms,MaterialScienceinsemiconductorProcessing,8(4),525-530(2005)
(4)时军朋,温振超,宋长安,陈殷,彭应全（通讯作者）,八羟基喹啉锌非晶膜器件的制备和开关特性,半导体学报，26(10)，1979-1982(2005)
2004
(1)Ying-QuanPeng,Jian-HongYang,Fielddistributionandcriterionforbulk-limitedandinjection-limitedcurrentconductioninsinglelayerorganiclight-emittingdevices,Appl.Phys.A:MaterialsScience&Processing,OnlineFirst,11February2004
(2)Ying-QuanPeng,Chang-AnSong,ShuoSun,Numericalmodelforcurrentconductioninsinglelayerlight-emittingdevicesincludingbothbulkandinjectioneffect,Semicond.Sci.Technol.19,1117-1121(2004)
(3)Y.Q.Peng,F.J.Zhang,X.Zhangetal.Numericalanalysisonthecurrentconductioninsinglelayerorganiclight-emittingdevices,Appl.Phys.A:MaterialScience&Processing,78,369-373(2004)
2003
(1)PengYing-Quan,ZhangLei,ZhangXu,Numericalstudyofoptimizationoflayerthicknessinbilayerorganiclight-emittingdiodes,ChineseJournalofSemiconductors,24(5),454(2003)[03-65]
(2)PengYing-Quan,ZhangFu-Jia,LiHai-Rong,SongChang-An,Numericalstudyofdistributionofelectricfieldandcarrierconcentrationinkuminescentlayeroforganiclight-emittingdevices,24(3),274(2003)
(3)PengYing-Quan,ZhangFu-Jia,SongChang-An,Numericalinvestigationonthecurrentconductioninbilayerorganiclight-emittingdeviceswithohmicinjectionofchargecarriers,ChinesePhysics,12(7),796(2003)[03-63]
(4)PengYing-quan，ZhengDai-shung，ZhangXu，XPSanalysisontheelectronicstructureofITO/PVKinterface,JournalofOptoelectronics.Laser,14(7),767(2003)
研究成果
重大科研成果： (1) 提出了纯净和掺杂情况下有机半导体薄膜中的扩展的爱因斯坦关系； (2) 提出了区别单层有机半导体薄膜器件注入限制传导与体限制传导的判据； (3) 建立了包含扩展和陷阱效应的单层有机电致发光器件电流电压特性以及电场和载流子浓度分布的数值模型； (4) 建立了双层有机电致发光器件电流电压特性以及电场和载流子浓度分布的数值模型； (5) 在国际上首次发现了喹啉配合物单层器件的双稳态特性； 发明专利 （1）计算机自动测量实验仪和实验方法 （2）一种基于肖特基接触IV分析的有机薄膜迁移率测量方法 （3）傅里叶分解与合成实验仪 （4）一种有机半导体器件特性测量仪 （5）一种梳状源极层叠结构有机场效应管
研究组成员
彭应全 宋长安 覃同 王鹏 研究生 王颖 李荣华 马朝柱 谢吉鹏 杨汀 吕文里 范国营 陈德强 高鹏杰
