申人升的个人简介
申人升，男，毕业于大连理工大学，博士，大连理工大学高级工程师 、硕士生导师。
人物经历
教育经历2005.9---2008.6 大连理工大学微电子学与固体电子学博士
2002.9---2005.6 吉林大学物理电子学硕士
1997.9---2001.7 吉林工学院自动化学士
1994.9---1997.7 吉林长春东方实验中学
2016.11至今 大连理工大学微电子学院高级工程师
2015.122016.10 大连理工大学物理与光电工程学院高级工程师
2008.62015.12 大连理工大学物理与光电工程学院工程师
研究方向
光纤传感技术
半导体光电材料与器件
学术成果
论文成果Wang, Xin,Li, Xiangping,Shen, Rensheng,Xu, Sai,Cheng, Lihong,Sun, Jiashi,Zhang, Jinsu,Chen, Baojiu.Concentration effect on up-conversion luminescence and excitation path-dependent luminescence temperature quenching in YNbO4:Ho3+/Yb3+ phosphors[J],SPECTROCHIMICA ACTA PART A-MOLECULAR AND BIOMOLECULAR SPECTROSCOPY,2019,217:107-112
王开宇,生梦林,韩睿,李伯轩,刘晨阳,申人升.卷积神经网络的FP GA实现及优化[J],实验室科学,2018,21(4):79-84
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Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Liu, Jun,Abbas, Qasim,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin,Zhang, Yuantao.Indium Incorporation Induced Morphological Evolution and Strain Relaxation of High Indium Content InGaN Epilayers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J],CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2017,17(6):3411-3418
Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Huang, Huolin,Tao, Pengcheng,Sandhu, Qasim Abbas,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Strain and microstructures of GaN epilayers with thick InGaN interlayer grown by MOCVD[J],MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2017,60:66-70
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