孙宝刚（研究员）的个人简介
孙宝刚，男，研究生学历，中国科学院电子学研究所副研究员。
基本信息
学 历: 研究生
通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
所属部门： 硅器件与集成技术研究室(一室)
代表论著
1. 邵红旭，孙宝刚，韩郑生，“0.1mm SOI槽栅CMOS器件特性仿真”，电子工业专用设备，2005年第一期，已发表；
2. 邵红旭，吴俊峰，韩郑生，孙宝刚，“硅膜厚度对0.1mm SOI槽栅NMOS器件特性的影响”，微电子学与计算机，已发表；
3.邵红旭，孙宝刚，吴俊峰，钟兴华, “Study on the Characteristics of 0.1mm SOI Grooved gate pMOSFET”，半导体学报，已发表；
4. 程 超，海潮和，孙宝刚，“0.5μm高速BiCMOS的工艺研究”，微电子学与计算机，已发表；
5. 程 超，海潮和，孙宝刚，“高速双极晶体管工艺条件的优化研究”，微电子学，已发表
